我校功率半导体领域学术成果赢得国际盛誉
在刚刚结束的国际功率半导体领域一年一度的学术盛会ISPSD 2017（The 29th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）上，我校以8篇论文的录取数获得本次会议论文录取数第一名。当大会主席在闭幕式上宣布电子科技大学位列文章录取数第一时，会场响起热烈掌声。电子科技大学再次扬名功率半导体领域国际学术界，又一次为中国赢得了荣誉。
ISPSD 2017于5月28-6月1日在日本札幌市举行，来自全球24个国家和地区的568名代表参加了今年的会议，会议共录取论文117篇。电子科技大学以8篇论文录取数名列会议发表文章数之首，日本日立公司（Hitachi）以7篇文章名列第二，日本东芝公司（Toshiba）、德国英飞凌公司（Infineon）和香港科技大学以6篇文章并列第三（注：排名只计文章发表第一单位）。
会上，电子科技大学除独立发表论文5篇，牵头并联合企业发表论文3篇外，还参与发表论文3篇，共计发表论文11篇，创历史佳绩。
IEEE ISPSD（功率半导体器件和功率集成电路国际会议）涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺集成、功率封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率半导体领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议。会议以四年为一个周期，在欧洲、美国、日本和其他地区轮流举办。在2016年在捷克布拉格召开的ISPSD会议上，电子科技大学曾以6篇文章与德国英飞凌公司、日本三菱公司并列第二，仅次于第一名日本东芝公司的7篇文章。
在ISPSD 2015上，电子科技大学陈星弼院士获得“国际功率半导体先驱奖”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。
功率半导体是我校微电子领域的特色学科方向，也是我校电子薄膜与集成器件国家重点实验室的三大主要学术研究方向之一，为电子科技大学集成电路研究中心的核心组成部分。
